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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 1.8 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: ISP06P009
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
零件号别名: ISP75DP06LM SP004987274
单位重量: 715.250 mg
